RQ-100GDO40-XXXXシリーズのシングルモードトランシーバーモジュールは、標準G.652シングルモード光ファイバー（SMF）上で最大40KMの距離まで対応する、複数チャネル100GbE伝送向けに設計されています。このトランシーバーは、CW-WDM MSAで規定された1295.56nmから1312.58nmまでの公称DWDM波長で、100Gbpsのデータレートで動作します。本モジュールは、4チャネルの25Gbps（NRZ）電気入力データを1チャネルの100Gbps（PAM4）光信号へ変換でき、また1チャネルの100Gbps（PAM4）光信号を4チャネルの25Gbps（NRZ）電気出力データへ変換できます。本モジュールの電気インターフェースはOIF CEI-28G-VSRおよびQSFP28 MSAに準拠しています。メトロポリタンアクセスネットワークおよびコアネットワークのDWDMネットワーク機器への導入を目的として設計されています。
QSFP28 100G Oバンド DWDM 40KMSM LC トランシーバー
注文情報
| 部品番号 | データレート | ファイバー | 距離*3 | インターフェース | 温度 |
| RQ-100GDO40-XXXX*2 | 100Gbps | SMF | 40KM | LC | 0～+70°C |
*1: 最新の認証情報については、FIBERWDMにお問い合わせください。
*2: XXXXはCW-WDM MSAで規定されたOバンド DWDM波長範囲を示します。詳細な中心波長情報については、以下の表を参照してください。
*3: G.652 SMF上での値です。
XXX-Channelは以下の表を参照してください
図1に示すように、トランシーバーの送信経路には、4x25Gbps CAUI-4電気入力、統合電気マルチプレクサー、SiPhoドライバー、診断モニター、MZ変調器用の制御およびバイアス、ならびにシングルモードレーザー光源が含まれます。統合電気マルチプレクサーは、4チャネルの25Gbps（NRZ）電気入力データを1チャネルの100Gbps（PAM4）光信号に変換します。
図1に示すように、トランシーバーの受信経路には、APD、トランスインピーダンスアンプ（TIA）、統合デマルチプレクサー、および4x25Gbps CAUI-4準拠電気出力ブロックが含まれます。統合デマルチプレクサーは、1チャネルの100Gbps（PAM4）光信号を4チャネルの25Gbps（NRZ）電気出力データに変換します。
QSFP28モジュールとホストASIC間のインターフェースを図2に示します。高速信号ラインは内部でAC結合されており、電気入力は内部で100オーム差動終端されています。すべての送信および受信電気チャネルは、IEEE 802.3cdに準拠したCAUI-4仕様に適合しています。
モジュールには、制御およびステータス用として以下の低速信号があります：ModSelL、ResetL、LPMode/TxDis、ModPrsL、IntL/RxLOSL。さらに、3.3V LVTTL向けに調整された業界標準の2線式シリアルインターフェースがあります。制御信号インターフェースの定義およびシリアルインターフェースメモリのレジスタについては、「制御インターフェース＆メモリマップ」セクションで詳しく定義されています。
電流サージや過電圧イベントへの曝露は、トランシーバーモジュールに即時の損傷を引き起こす可能性があります。静電気放電に敏感な機器の通常動作に関する注意事項を守り、絶対最大定格で定義された条件への曝露を制限するよう注意してください。
光コネクタはポートプラグが挿入されていない間は露出するため、常に保護に注意してください。各モジュールには光ポートを保護するためのポートガードプラグが装備されています。光ファイバーが挿入されていない場合は、保護プラグを常に所定の位置に取り付けてください。光ファイバーを挿入する前に、汚れたコネクタによるモジュール光ポートの汚染を避けるため、光ファイバーコネクタ端面を清掃することを推奨します。汚染が発生した場合は、標準的なLCポート清掃方法を使用してください。
絶対最大定格表を超えると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これは強調された定格値であり、これらまたはその他の条件下でこの技術仕様の仕様範囲を超えたデバイスの機能動作を示すものではありません。絶対最大定格で長期間動作させると、デバイスの信頼性に影響します。
推奨動作条件を超える動作では、光学特性および電気特性は定義されず、信頼性も保証されません。また、このような動作を長時間行うとモジュールが損傷する可能性があります。
*4: 電源仕様、瞬時電流、持続電流および定常状態電流は、QSFP28 MSA電力分類に準拠しています。
*5: ケース温度測定位置は図9に示します。
*6: 電源ノイズは、モジュールおよび推奨フィルターを設置した状態で、推奨電源フィルターのホスト電源側における周波数範囲内のピーク間ノイズ振幅として定義されます。ピーク間ノイズを含む電圧レベルは、関連する電源の推奨動作範囲に制限されます。推奨電源フィルターについては図7を参照してください。
一般電気特性
特に記載がない限り、以下の特性は推奨動作条件下で定義されています。
TP2テストポイントにおける光学特性
*8: 平均出力光パワー（最小）は参考情報であり、信号強度を示す主要な指標ではありません。この値を下回る出力光パワーの送信機は適合できませんが、この値を上回っていても適合を保証するものではありません。
*9: 送信機反射率は、送信機側を見込んだ状態で定義されます。
TP3テストポイントにおける光学特性
規格適合表
| 項目 | 試験方法 | 性能 |
|
レーザー眼安全性および機器タイプ試験
|
(IEC) EN 62368-1:2014+A11 (IEC) EN 60825-1:2014 (IEC) EN 60825-2:2004+A1+A2 |
CDRH登録番号:2132182-000 TUVファイル: R 50457725 0001 CBファイル: JPTUV-100513 |
| 部品認証 |
情報技術機器（電気業務用機器を含む）に関するUnderwriters Laboratories (UL)およびCanadian Standards Association (CSA)の共同部品認証機器 |
ULファイル: E317337 |
| RoHS適合 | RoHS指令 2011/65/EU&(EU)2015/863 |
カドミウムは100 ppm未満。鉛、水銀、六価クロム、ポリ臭化ビフェニル（PBB）、ポリ臭化ジフェニルエーテル（PBDE）、フタル酸ジブチル、フタル酸ブチルベンジル、ビス（2-エチルヘキシル）フタレートおよびフタル酸ジイソブチルは1000 ppm未満のフタレート類。 |
| 電気接点への静電気放電（ESD） | JEDEC人体モデル（HBM） |
高速接点は耐えるものとする 1000V。その他すべての接点は2000Vに耐えるものとする。 |
| 光コネクタレセプタクルへの静電気放電（ESD） | IEC 61000-4-2:2008 |
適切に接地されたハウジングおよびシャーシに取り付けた場合、動作中に15kVの気中放電および8kVの直接放電がユニットに印加されるケースへ。 |
|
電磁干渉（EMI） |
FCC Part 15 Class B; CISPR 32 (EN55032) 2015; |
システムマージンは依存する 顧客のボードおよびシャーシ設計に。 |
| イミュニティ |
IEC 61000-4-3:2010; EN55035:2017 |
通常、測定可能な影響は示さない シャーシ筐体なしでモジュールに印加された80 MHzから6 GHzまで掃引した10V/mの電界による影響。 |
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100G QSFP28 SR4 100m 850nm MPO 光トランシーバー
100G QSFP28 CWDM4 10km LC光トランシーバ
100G QSFP28 LR4 1310nm 10km LC 光トランシーバー
100G QSFP28 ER4 40Km 1310nm LC 光トランシーバー
100Gb QSFP28 ZR4 80Km 1310nm LC 光トランシーバー
100G LR1 10km SFP-DD光トランシーバー
100GDWDMQSFP28デュアルCSコネクタPAM4トランシーバ
100GBASE-SR双方向QSFP28850/ 900nm 100m DOMLCMMF光トランシーバーモジュール
住所 : Room 901, Building 6, JD Smart Industrial Park, No. 128, Juhua Stone Avenue, Huashan Town, Huadu District, Guangzhou City
電話 : +86 15989256178
Whatsapp : +86 15914235380
メール : sales@fiberwdm.com
