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APD2008 雪崩検出器

Fiberwdm APDアバランシェフォトディテクタは完全国産です。独自の温度補償技術ソリューションを採用し、高感度を実現しています。全温度範囲(-40℃~80℃)において、高い安定性、高ゲイン、低ノイズを維持します。

従来仕様の検出器に加え、カスタマイズサービスも提供しています。検出器の各種指標(電源電圧、ゲイン、帯域幅など)をお客様のご要望に合わせて調整し、特定の要件を満たすことができます。

応用分野:LiDAR、空間光通信、光ファイバーセンシングシステム、光検出システムなど。

  • 製品の詳細

APD2008 雪崩探知機

ユーザーマニュアル

2.1 外観とインターフェースの説明

モジュールの外観は以下の図に示されています。

APD detector module APD detector module

図2-1 検出器モジュールの外観(左:FCインターフェース、右:空きスペース)

このうち、上部のインターフェースは光入力インターフェース(FC/フリースペース)、右下は電源入力インターフェース(M8またはリード線出力)、右下は信号出力インターフェース(SMA)です。

温度補償付きバージョンの出力は GH1.25 端子ブロックであり、その定義は次のとおりです。

Avalanche Photodiode Detector

図2-2 適合電源コード

インターフェース定義
+12V入力
+12V_GND入力
GND
シリアルポート TTL_TX
黄色 シリアルポート TTL_RX

電気的説明

APDモジュールは単一電源製品です。赤い線を12Vに、黒い線をアースに接続し、電流を300mAにしてください。通常動作時の検出器モジュールの電流は100mA未満です

1.出力インターフェース:SMA(メスコネクタ)

2. 出力インピーダンス:50Ω

3. 最大出力電圧:

500MHz未満の製品:±3.6V(@High Z)、±1.8V(@50Ω)

1GHz(含む)以上の製品:±1V(@50ohm)。

4. スペクトル応答範囲:400nm〜1100nm。

5. 検出器応答性:50A/W@905nm

6. 光入力振幅の飽和光パワーを超えないでください

性能パラメータ

性能試験の説明

1. 試験光源のFCコネクタの状態が異なるため、各検出器の挿入損失は一定ではなく、検出器応答の試験結果はわずかに異なります

2. 検出器のトランスインピーダンス利得は、高出力負荷インピーダンスの条件下で計算されます。出力負荷が50Ωの場合、利得は公称値の半分に減少します。

3. 検出器ノイズと立ち上がり時間の測定結果は、以下の条件下で得られます。

a: オシロスコープの入力インピーダンスは50Ωです。

b: オシロスコープの帯域幅は全帯域幅(≥1GHz)です。

c: オシロスコープの時間スケールは 100ns/div に設定されています (注: 時間スケールが異なるとノイズは大きく異なります)。

4.試験室温度:23℃±5℃

5.テスト相対湿度:35%±15%

6.テスト動作電圧:±12V

APD検出器の標準的なテストパラメータ(APD2008)

項目 パラメータ
型式 400~1100nm
波長範囲 DC/AC-50MHz
3dB帯域幅 3000×103V/A
総合出力電圧ノイズ 3mVRMS(標準)
飽和電力 0.1μW
最大出力応答性 50A/W @800nm
入力インピーダンス 50Ω
最大出力(最大値) 1.5V@50Ω
最大入射光量 1μW@800nm
検出器材料の種類 Si/APD
検出器径 500μm
光入力 自由空間
電気出力 SMA
パッケージサイズ 58mm×58mm×25mm
電源要件 12V/200mA

図3-1 電気的性能の概要

機械的寸法

APD Detector APD Detector

図4-1 APD検出器モジュールの機械的寸法図

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  • 被験者 : APD2008 雪崩検出器

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