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機械スイッチと光ファイバースイッチ：技術的格差とアプリケーションの境界
Mar 05 , 2025
信号制御の分野では、 機械スイッチ そして 光ファイバースイッチ それぞれ電子時代と光子時代の中心的な技術的経路を表しています。 それらの違いは、基礎となる原則とアプリケーションロジックの本質的な分裂に反映されています。 1。作業メカニズムの物理的基礎機械スイッチは、スプリングやレバーなどの機械的成分の動きに依存して、金属接触の物理的接触を通じて電流のオンとオフを制御します。 この直感的な物理的操作は、従来の電子機器でかけがえのない位置を与えます。 ただし、機械的な摩耗と環境干渉は、サービス寿命を制限しています。 一方、光ファイバースイッチは、光信号のルーティング制御に基づいており、光パス状態を調整して信号スイッチングを実現します。 それらの作業原則には、光学反射、屈折、または変調効果が含まれます。 たとえば、マイクロエレクトロメカニカルシステム（MEMS）を使用して光ファイバまたはレンズ...
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光ファイバースイッチメンテナンスの包括的なガイド：ネットワーク安定性のコアコード
Mar 12 , 2025
現代の通信ネットワークでは、 光ファイバースイッチ データ送信のコアデバイスとして機能します。 それらの安定性と信頼性は、ネットワークシステム全体の動作に不可欠です。 持続的な高効率と過失のないパフォーマンスを確保するために、光ファイバー光スイッチの定期的なメンテナンスは不可欠です。 これらのデバイスにはどのような具体的なメンテナンスタスクが必要ですか？I.環境監視とクリーニングまず、光ファイバースイッチの運用環境がパフォーマンスに直接影響します。 機器の周囲の温度、湿度、ほこりの蓄積を定期的に調べることが不可欠です。 極端な温度、湿度の変動、またはダストの蓄積は、スイッチを損傷し、熱散逸と信号の質を損なう可能性があります。 プロのクリーニングツールと材料を使用して、ほこりの除去中の二次的な損傷を避けてください。 ii。 港湾検査とメンテナンスファイバースイッチポートはデータ送信用のゲート...
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400G 光トランシーバーと 800G 光トランシーバーの主な違いは何ですか?
May 19 , 2025
データセンターの高速相互接続の分野において、 400G光トランシーバー そして 800G光トランシーバー 技術的なパスとアプリケーション シナリオの相違にあります。 伝送速度と変調技術が主な違いです。400GはNRZ変調を使用し、4つの100Gbpsチャネルを並列に伝送します。800GはPAM4技術にアップグレードされ、各チャネルが200Gbpsをサポートし、4つのチャネルで800Gbpsを実現します。これによりスペクトル効率は向上しますが、信号処理に対する要件はより厳しくなります。 パッケージングと波長構成において、400Gは主にマルチモード850nmまたはシングルモード1310nm/1550nm波長のQSFP-DD/OSFPパッケージを採用しています。800Gは波長多重化により4つの200G PAM4チャネルを同一パッケージに統合し、シリコンフォトニクス技術を導入することで集積度を高め...
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LPO 光モジュールとは何ですか?
Aug 12 , 2025
デジタル化の波の中で、高速データ伝送と処理は技術発展の中核的な原動力となっています。情報伝送の主要キャリアとして、光通信技術は爆発的な帯域幅需要の増加に対応するために進化を続けています。こうした進歩の中で、LPO光モジュールは独自の技術的優位性を備え、光通信分野における画期的な技術として際立っています。 I. LPO光モジュールの定義 LPOとは リニアドライブプラガブルオプティクス 、中国語では「線性驱动可插拔光模块」と翻訳されます。その中心的な機能は、次の組み合わせにあります。 リニアドライブ技術 そして プラグ可能な特性 。 プラグ可能な特性 USB デバイスと同様に、柔軟なプラグ アンド プレイをサポートし、機器の設置、メンテナンス、アップグレードの利便性が大幅に向上するとともに、データ センターなどのシナリオでの運用コストとダウンタイムが大幅に削減されます。 リニアドライブ技術 ...
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バイアス検出器の理解：原理と応用
Oct 24 , 2025
光電子デバイスの分野では、 バイアス検出器 広く使用されている特殊検出装置のカテゴリーです。単一の構造を持つデバイスではなく、「逆バイアス」モードで動作する光検出装置の総称です。その核心は、外部電圧制御によって検出性能を向上させることにあり、様々なシナリオにおける高精度な光信号捕捉の要求を満たします。 I. バイアス検出器の性質 バイアス検出器は、動作中に逆バイアス電圧を必要とする光電子デバイスであり、主に光信号を測定可能な電気信号に変換するために使用されます。本質的には、一般的な光検出器（フォトダイオード、アバランシェフォトダイオードなど）をベースにしており、外部回路を介して逆電圧を印加することでデバイス内の電界分布を変化させ、光電変換効率を最適化します。 II.バイアス設計の根拠 通常のバイアスなし検出器（光起電力検出器など）は機能しますが、性能には明らかな欠点があります。バイアス設計...
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