特徴
QSFP-DDシリアル光インターフェース
QSFP-DD MSA準拠
サポートプロトコル
低消費電力
アプリケーション
400G OSFP DR4 仕様
400G、QSFP-DD、MPO12 APC、1310nm SMF、最大 500m。
機能ブロック図
概要
RQDD-400G-DR4 は、シリコン フォトニクス 400G (4x100G) DR4 トランシーバーです。RQDD-400G-DR4 は、最大 500m の SMF リンク用の完全統合型 425 Gb/s 光トランシーバーです。RQDD-400G-DR4 は、光インターフェイス仕様 IEEE Std802.3-2018 セクション 8 400GBASE-DR4 に準拠してデータを送信します。400GBASE-DR4 は、1304.5 ～ 1317.5nm の範囲の波長を持つ 4 つの並列チャネルで動作する 53.125 Gbaud での 4 レベル パルス振幅変調 (PAM4) の使用を指定します。レーンあたりのビット レートは 106.25 Gb/s で、MPO-12 コネクタの送信ポートへの PSM による総データ レートは 425 Gb/s になります。受信された光レーンは、受信 MPO-12 コネクタ ポートから PIC (フォトニック集積回路) に組み込まれた PIN-PD に並列接続され、PIC に表面実装されたトランスインピーダンス アンプ (TIA) を介して電気インターフェイスとインターフェイスするための PAM4 を回復します。
絶対最大定格
| パラメータ |
シンボル |
分 |
マックス |
ユニット |
| 保管温度 |
つ |
-40 |
85 |
℃ |
| ケース動作温度 |
上 |
0 |
70 |
|
| 保管相対湿度 (結露なきこと) |
RH |
- |
85 |
% |
| 供給電圧 |
Vcc |
0 |
3.6 |
V |
| レーンごとの受信機ダメージしきい値 |
PRdmg |
|
5.0 |
dBm |
推奨動作条件
| パラメータ |
シンボル |
分 |
マックス |
ユニット |
| 動作ケース温度 |
TC |
0 |
70 |
℃ |
| 相対湿度 (結露なきこと) |
RH |
5 |
85 |
% |
| 電源電圧 |
Vcc |
-3.135 |
3.465 |
V |
| 消費電流 |
Icc |
|
3182 |
ミリアンペア |
| 総消費電力量 |
パソコン |
|
10.5 |
W |
| ビットレート |
BR |
|
425 |
Gbps |
送信機の光インターフェース
| パラメータ |
正確さ |
ユニット |
| 内部で測定されたトランシーバー温度 |
+/-3 |
℃ |
| 内部で測定されたトランシーバー電源電圧 |
+/-3 |
% |
| 測定された送信バイアス電流 |
+/-10 |
% |
| 測定された送信出力電力 |
+/-3 |
dB |
| 測定された Rx 受信平均光パワー |
+/-3 |
dB |
受信機の光インターフェース
| パラメータ |
シンボル |
分 |
典型的な |
マックス |
ユニット |
|
| レーンあたりのデータ速度 |
BR |
|
53.125 |
|
GBd |
|
| 変調フォーマット |
|
PAM4 |
|
|||
| 中心波長 |
λ |
1304.5 |
1311.0 |
1317.5 |
nm |
|
| ダメージ閾値 |
THD |
5 |
|
|
dBm |
|
| 各レーンの平均受信電力 |
|
-5.9 |
|
4.0 |
dBm |
|
| 各レーンの平均受信電力 |
|
-5.9 |
|
4.0 |
dBm |
|
| 受信機の反射率 |
Rr |
|
|
-26 |
dB |
|
| 受信感度、各レーン1 |
セン |
最大(-3.9、SECQ-5.3) |
dBm |
|||
| 強調された受信感度、各レーン |
SRS |
|
|
-1.9 |
dBm |
|
| 受信ロス |
LOS アサート |
|
-15 |
|
-7.9 |
dBm |
| LOS ディアサート |
|
|
|
-7.5 |
dBm |
|
| LOSヒステリシス |
|
0.5 |
|
|
dB |
|
注記：
1. 受信機の感度は参考情報であり、SECQ の値を持つ送信機に対して定義されます。TP3 での適合性テスト信号を使用して、BER = 2.4E-4 Pre-FEC で測定。
モジュール入力特性
| パラメータ |
分 |
典型的な |
マックス |
ユニット |
| 供給電圧 |
3.135 |
|
3.465 |
V |
| 入力差動インピーダンス |
90 |
100 |
110 |
Ω |
| 差動データ入力スイング |
|
|
880 |
mVpp |
| 差動データ出力振幅 |
|
|
900 |
mVpp |
| ビットエラー率 |
|
|
2.4E-4 |
|
| 入力ロジックレベルHigh |
2 |
|
Vcc |
V |
| 入力ロジックレベルLow |
0 |
|
0.8 |
V |
| 出力ロジックレベルHigh |
Vcc-0.5 |
|
Vcc |
V |
| 出力ロジックレベルLow |
0 |
|
0.4 |
V |
デジタル診断モニターの精度
以下の特性は、推奨動作条件に対して定義されています。
| パラメータ |
正確さ |
ユニット |
| 内部で測定されたトランシーバー温度 |
+/-3 |
℃ |
| 内部で測定されたトランシーバー電源電圧 |
+/-3 |
% |
| 測定された送信バイアス電流 |
+/-10 |
% |
| 測定された送信出力電力 |
+/-3 |
dB |
| 測定された Rx 受信平均光パワー |
+/-3 |
dB |
パッケージの寸法
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1.6T OSFP224 DR8
1.6T OSFP-XD DR8+
1.6T OSFP-XD DR8
1600G OSFP1600 2xDR4 500M 1.6T 光トランシーバ
APD1008 アバランシェ光検出器
1X10 PM MEMS光スイッチ
10Gb/秒 80km DWDM チューナブル SFP トランシーバー
住所 : Room 901, Building 6, JD Smart Industrial Park, No. 128, Juhua Stone Avenue, Huashan Town, Huadu District, Guangzhou City
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